海翔威带你了解MOS管的特性

海翔威带你了解MOS管的特性：

1、开关特性

MOS管是压控器件，作为开关时，NMOS只需满足Vgs>Vgs(th)即可导通，PMOS只需满足Vgs

2、开关损耗

MOS的损耗主要包括开关损耗和导通损耗，导通损耗是由于导通后存在导通电阻而产生的，普通导通电阻都很小。开关损耗是在MOS由可变电阻区进入夹断区的过程中，也就是MOS处于恒流区时所产生的损耗。开关损耗远大于导通损耗。减小损耗通常有两个办法，一是缩短开关时间，二是降低开关频率。

3、由压控所招致的的开关特性

由于制造工艺的限制，NMOS的运用场景要远比PMOS普遍，因而在将更合适于高端驱动的PMOS交换成NMOS时便呈现了问题。在上图所示的高端驱动中，当MOS导通时，Vs=Vd=Vdd，此时要坚持MOS的导通，就需求Vg>Vdd。在功率驱动电路中，MOS经常开关的是电源电压，或者说是系统中最高的电压，此时要保证MOS的导通就需求额外升压提供Vg。

4、在宽电压的应用场景中，栅极的控制电压很多时分是不肯定的，为了保证MOS管的平安工作，很多MOS管内置了稳压管来限制栅极的控制电压。当驱动电压大于稳压管电压时，会额外增加管子的功耗。假如栅极控制电压缺乏时，则会招致管子开关不彻底，也会增加管子功耗。