MOS管发热比较严重的原因是什么

MOS管发热比较严重的原因是什么：

近期，处理许多有关MOS管做开关推动层面的一些难题。做电源设计，或是做推动层面的电源电路，免不了要采用场效管，也就是大家常说的MOS管。MOS管有很多类型，也是有许多 功效。做开关电源或是推动的应用，自然便是用它的开关功效。

不管N型或是P型MOS管，其原理实质是一样的。MOS管是由加在键入端栅极的电压来控制輸出端漏极的电流。MOS管是压控器件它根据加在栅极上的电压控制器件的特点,不容易产生像三极管做开关时的因基极电流造成的正电荷储存效用，因而在开关运用中，MOS管的开关速率应当比三极管快。

我们在开关开关电源中常见MOS管的漏极引路电源电路，如图2漏极完好无损地接负荷，叫引路漏极，引路漏极电源电路中无论负荷接多大的电压，都可以接入和关闭负荷电流。是理想化的仿真模拟开关器件。这就是MOS管做开关器件的基本原理。自然MOS管做开关应用的电源电路方式比较多了。

在开关开关电源运用层面，这类运用必须MOS管按时导通与关闭。例如，DC-DC电源中常见的基本上降血压转化器依靠2个MOS管来实行开关作用，这种开关更替在电感器里储存动能，随后把动能释放出来给负荷。大家常挑选百余kHz甚至1MHz之上的頻率，由于頻率越高，带磁元器件能够更小更加轻。在一切正常工作中期内，MOS管只等同于一个电导体。因而，大家电源电路或是电源设计工作人员最关注的是MOS的最少传输耗损。

大家常常看MOS管的ＰＤＦ主要参数，MOS管生产商选用RDS(ON)主要参数来界定通断特性阻抗，对开关运用而言，RDS(ON)也是最重要的器件特点。数据信息指南界定RDS(ON)与栅极(或推动)电压VGS及其流过开关的电流相关，但针对充足的栅极推动，RDS(ON)是一个相对性静态数据主要参数。一直处在通断的MOS管非常容易发热。此外，渐渐地上升的结温也会造成RDS(ON)的提升。MOS管数据信息指南要求了热特性阻抗主要参数，其界定为MOS管封裝的半导体材料结排热工作能力。RθJC的非常简单的界定是结到列管式的热特性阻抗。